深圳新聞網(wǎng)2026年6月2日訊（深圳特區(qū)報記者 鄒媛）近日，深圳平湖實驗室成功開發(fā)出具備超快響應、超高開關比、超萬伏耐壓能力的Mg（鎂）摻雜氧化鎵光導開關，技術指標達到國際先進水平，實現(xiàn)在第四代半導體賽道的跨越式領跑。這是深圳平湖實驗室第四代半導體團隊在成功研發(fā)萬伏級垂直結構氧化鎵光導開關的堅實基礎上，向超萬伏級氧化鎵光導開關發(fā)起的攻堅。

據(jù)了解，這款純國產(chǎn)自研器件基于國內(nèi)材料企業(yè)鎵仁半導體自主生產(chǎn)的高質量氧化鎵材料，利用摻雜工程優(yōu)化[即使用Mg元素替代傳統(tǒng)Fe（鐵）元素進行摻雜]的核心思路，實現(xiàn)三大核心性能“質的飛躍”。

得益于Mg摻雜引入的深能級補償效應，器件可穩(wěn)定承受220kV/cm以上的超高電場，是名副其實的“扛高壓能手”，能在極端高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。Mg摻雜器件實現(xiàn)極低暗態(tài)電流，開關比提升至1×1011量級，較目前業(yè)界主流水平提升了約兩個數(shù)量級，徹底解決傳統(tǒng)器件“關不緊、漏電多”的痛點。此外，Mg摻雜的獨特優(yōu)勢，讓器件關斷時間小于1納秒，配合250皮秒開啟響應，實現(xiàn)“超快開、超快關”，完美適配脈沖功率、先進雷達等對速度極致要求的場景。

這款超萬伏級Mg摻雜氧化鎵光導開關瞄準國家重大需求，應用場景覆蓋高壓直流輸電、脈沖功率科學裝置、先進雷達等多個關鍵領域，夯實了第四代半導體自主可控的核心底座。

接下來，深圳平湖實驗室將持續(xù)深耕第四代半導體及氧化鎵材料核心前沿技術研究與應用，突破產(chǎn)業(yè)鏈共性難題和關鍵技術，為第四代半導體及氧化鎵材料在新型電網(wǎng)與智能輸電、先進能源與科研裝備、國防與特種電子系統(tǒng)等關鍵領域的規(guī)模化應用提供重要技術支撐，助力深圳打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)新高地。